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サムスンが3次元構造TLC NAND搭載のSSD 850 EVO発表。安価ながら5年保証の高耐久仕様

Shingi Hashimoto
2014年12月10日, 午前12:14 in 850 Evo
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2014年のPCパーツの大きなトレンドとなったバリューSSDの高速化と低価格化が、また一段進むかもしれません。サムスン電子が2.5インチ7mm厚のシリアルATA接続SSD、Samsung SSD 850 EVOを発表しました。同社のバリューSSDの新型として位置づけられ、12月中旬発売予定です。容量は128GB/256GB/512GBと1TBの4種類。

最大の特徴は、三次元構造のNANDフラッシュメモリチップ「3D V-NAND」を搭載する点。これにより、本来耐久性では不利とされるTLC(1セルあたり3ビット記録)モードを採用しながら、保証期間はバリューSSDとしては長い5年。耐久性目安となる総書き込み容量(TBW)も、500GB版と1TB版は150TB、120GB版と250GBは75TBと、非常に高い値です。

Gallery: Samsung SSD 850 EVO | 8 Photos

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なお、500GB版と1TB版の総書き込み容量 150TBは、7月に発表された上位モデル850 PROと同じ値。850 PROのNANDフラッシュメモリチップは1セルあたり2ビット記録のMLCモードのため、本来はより有利なはずですが、本モデルでも耐久性に優れるV-NANDの優位性に加え、様々なテクニックで同等を実現しているようです。

ちなみにライバルメーカーの製品では、バリューSSDの代表格であるCrucial MX100が72TB、優秀な製品ではインテルの高級製品であるSSD 730 480GB版で128TBといったところ。このように150TBという値はただでさえ大きく、バリューSSDとして見れば異例とも呼べる水準です。
保証期間が5年と長いのは、このあたりの自信からも来ていそうです。




なお、V-NANDの特徴である三次元構造とは、一般的な半導体チップがトランジスタなどの電子部品を二次元(平面)的に配置していたのに対し、回路を立体的に配置することで密度を上げる技術。

メリットとしては耐久性の向上や消費電力低減、1つのダイ(半導体本体)あたりの容量増加などが挙げられますが、量産技術の確率が難しいというデメリットがあります。

V-NANDについては850 PRO発表時の記事でも紹介しておりますので、そちらをご参照ください。

サムスンの高級SSD 850 PRO発表。世界初3次元NANDメモリ採用で耐久性倍増、「10年使えるSSD」




さて、850 EVOの第2の特徴としては、速度に大きな影響力を持つコントローラチップが新型のSamsung MGXへと世代交代した点が挙げられます。ただし1TB版だけは、前モデルの840 EVOや850 PROと同じMEXです。

ここは不思議な仕様ですが、Samsung側は、MGXは比較的低容量での速度向上にフォーカスしたコントローラである、という旨の解説をしています。推測が入りますが、この理由は、1TB版はMEXの方が総合性能が高かったから、というあたりとなりそうです。

実際の速度に関しては、連続リードは全容量で540MB/秒、連続ライトは全容量520MB/秒と、シリアルATA 6Gbps接続SSDとしては現行水準のレベル。

4KBランダムリード時のIOPS(秒間あたりに処理可能な入出力命令数)に関しても、120GB版で最高9万4000、250GB版が9万7000、500GB版と1TB版は9万8000と高レベル。上位機である850 PROでは全容量で10万IOPSですが、かなり近い性能です。

より厳しくなる4KBランダムライト時でも、120GB版と250GB版で8万8000、500GB版と1TB版で9万IOPS。850 PROでは全容量で9万IOPSなので、こちらも近い性能をキープしています。


そして840 EVOで採用されたTurboWrite Technology(ターボライト)も継承。これはフラッシュメモリチップの一部容量を、高速記録が可能なSLC(1セルあたり1ビット記録)モードに設定し、一時記録場所として使うことで高速化するという、いわゆる疑似SLC機能。

850 EVOではV-NANDの採用により、TLCモード領域での速度が(耐久性とともに)向上したことで、SLC領域がなくなってしまう大容量・多数ファイルの書き込みなどでも速度低下が低くなるとしており、ランダムライト時において、120GB版では840 EVO比1.9倍、250GB版では1.25倍の高速化を実現したとアピールします。

さらに、昨今のSSDで各メーカーが注力している、長期使用時での速度低下低減に関してもメスが入れられており、こちらは詳細な測定条件こそ不明ですが、スペックシートでは840 EVO比で30%の改善がアピールされています。

バリューSSDで重要な価格は、サムスン側からは現状未公表ですが、EU圏では予約を受け付けているショップがあり、価格比較サイトGeizhalsで情報が見られます執筆時での最安価は、120GB版が88.44ユーロ、250GB版が128.33ユーロ、500GB版が231.91ユーロ、1TB版が424.41ユーロです。

参考までに前モデル840 EVOのGeizhalsでの実売価格は、それぞれ59.99ユーロ、105.86ユーロ、 194.84ユーロ、344.10ユーロ。日本における840 EVOの最安価は、それぞれ税込みで8980円、1万2980円、2万3800円、4万7800円となっているので、これらを元に推定した日本での予想実売価格は、250GB版が約1万5800円、500GB版が約2万8400円、1TB版は約5万9000円となります(120GB版はEUでの840 EVOが非常に安価なことから、換算すると約1万3250円となりますが、これより安価になるはず)

現在バリューSSDの主力となっているCrucial MX100の256GB版と512GB版の実売価格は、およそ1万3000円台と2万3000円台で、ほぼ840 EVOと互角。対してMX100と840 EVOの保証期間はともに3年なので、これらの面から考えると、850 EVOは「価格は若干高いものの、速度や信頼性がそれ以上に高いバリュークラスSSD」という位置づけとなりそうな気配

最終的な人気は実売価格に左右されるとは思いますが、バリューSSDでありながら保証期間が5年と長く、またSSDではネームバリューのあるSamsung製ということで、年末のSSD商戦において注目製品となることはほぼ間違いないシリーズとなりそうです。


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Source: Samsung
関連キーワード: 850 EVO, NAND, Samsung, Samsung SSD 850 EVO, ssd, v-nand
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