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サムスン、50nm 16Gb NANDフラッシュのサンプル出荷を開始

Ittousai, @Ittousai_ej
2007年1月4日, 午後08:00
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プレスリリースによると、サムスンは50nmプロセスで製造された高密度16Gb NANDフラッシュメモリチップのサンプル出荷を開始、今年(2007年)Q1にも量産に移るとのこと。今回サンプルが開始されたMLC(マルチレベルセル) NANDフラッシュは4KBのページサイズを採用、従来の2KB品に対してリードで2倍、書き込みで1.5倍のパフォーマンス。

用途はモバイルPC向けSSD(ソリッドステートディスク、フラッシュメモリディスク)や携帯電話、携帯メディアプレーヤ、ゲーム機など。2006年後半に量産開始という当初の予定からはやや遅れたことになりますが、軽量・低消費電力・耐衝撃・高速を実現するソリッドステートディスクのさらなる大容量化・低価格化には期待です。



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