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東芝とSanDisk、世界最大容量の19nm 128Gb NANDフラッシュメモリを開発。3bit MLCで最速書込18MB/秒

Ittousai, @Ittousai_ej
2012年2月23日, 午前11:09 in 19Nm
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東芝とサンディスクが、世界最大容量となる128Gb NANDフラッシュメモリの開発と量産開始を発表しました。チップサイズは170mm2。東芝およびサンディスクによると、メモリセルごとに8つの状態を保持する3bit MLC (X3)と 19nmプロセス、および制御回路を片側に寄せて配置面積を約20%減らす構成などにより、シングルチップの128Gb NANDフラッシュメモリとして最小サイズ(=最大容量) を実現しています。

さらに独自の高速書き込み回路技術(「メモリセルにデータを三段階で書き込む際、二段階目ですべてのビットを大まかに書き終え、三段階目で微修正だけを行い、書き込み済みのメモリセルに影響をおよぼす現象を約5%にする」技術)や、メモリセル間に空洞を形成し干渉を抑えるエアギャップ技術などにより、3ビット / セルのNANDフラッシュメモリとして最速の書き込み速度 18MB / 秒を達成した点も特徴です。

東芝とサンディスクは今回開発した19nm 128Gb 3bit / cell MLC NANDフラッシュメモリ技術について、開催中の国際学会ISSCC で発表しています(ホワイトペーパーへのリンクはこちら)。製品としてはすでに今月から量産出荷中。あまり関係のない余談ですが、新しい種類のゲーム機としてタブレットの購入を検討しているかたには迷いなく最大容量をお薦めします。一本で500MBを超えるタイトルが珍しくないうえに、クラウド時代になってもゲームは(今のところ) ストリーミングできません。



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Source: Toshiba
関連キーワード: 19nm, flash memory, FlashMemory, isscc, mlc, sandisk, toshiba
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