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サムスン、従来比で2倍高速なスマホ向けフラッシュストレージの量産開始。容量512GBで読み出し2100MB/s

eUFS 3.0規格採用

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矢崎 飛鳥, 10月29日
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韓国サムスンはスマートフォンなどでの利用を想定した、容量512GBの新型フラッシュストレージの量産を開始したと発表しました。eUFS 3.0規格を採用し、従来製品に比べて2倍の転送速度を実現しているのが特徴です。

今回量産が開始された第5世代のV-NANDフラッシュストレージは、シーケンシャルリードで2100MB/s、シーケンシャルライトで410MB/sという転送速度を達成します。参考までに2017年に発表された容量512GBでeUFS規格採用の製品は、シーケンシャルリードが860MB/s、シーケンシャルライトが225MB/s。また、2019年1月に発表されたeUFS 2.1規格採用の製品をも速度の面で上回っています。

サムスンによれば、eUFS 3.0規格を採用した製品では一般的なmicroSDカードに比べて20倍、SATA接続のSSD比でも4倍の読み取り速度を実現するとのこと。このストレージを搭載するスマートフォンからPCへフルHD動画を転送する場合、理論的には3秒で行えるといいます。また、同社はこの技術が「将来の超大画面・高解像度ディスプレイを搭載したスマートフォンでシームレスなユーザー体験をもたらす」とも付け加えています。

なお、今回量産が開始された容量512GBのストレージは、128GBモデルと共に今月出荷される予定。さらに、1TBモデル、256GBモデルも今年後半に量産開始とされています。



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Source: Sansung
関連キーワード: FlashMemory, Samsung, smartphone, storage
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