次世代の不揮発性メモリと呼ばれるものの一つ、PRAMが間もなくサムスンによって量産されることが明らかになりました。同社の計画によると、まず512MBのメモリをサンプル出荷し、それから6月にも量産を始める予定。なお同社は2005年に256MBの、2006年には512MBのPRAMの試験開発品を発表しています。

PRAM(Phase change RAM)は温度変化の方法により抵抗値の異なる結晶相かアモルファス相に変化する記憶素子を用い、古いデータを消去することなく新しいデータを上書きできるのが特徴です。同社の過去の発表によると一般的なNANDフラッシュ・メモリの約30倍の速度を誇り、寿命も従来の10倍以上が見込まれています。用途はDRAMとフラッシュ・メモリの中間くらいで、例えばSSDに使われれば速度・寿命ともに桁違いに向上するはず。これまた過去の発表によると、携帯電話が主な利用先となる見込みです。スケーラブルで製造コストが低いのが強みと言われていましたが、量産で前評判に応える時が来たようです。