東芝、世界最小 19nmプロセス NANDフラッシュメモリを開発。Q3から量産

Ittousai
Ittousai , @Ittousai_ej
2011年04月21日, 午後 05:11 in 19nm
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東芝が、19nm プロセスで製造された64Gb (8GB) NANDフラッシュメモリの開発を発表しました。世界で初めて10ナノメートル台の製造プロセスを採用したことでチップサイズは縮小し、スマートフォンやタブレットに採用される小型パッケージ内に16段までの積層が可能になったとしています。今回開発された64Gb 品は2ビット / セル、インターフェースは Toggle DDR2.0規格準拠。今月末からサンプル出荷を開始し、今年第3四半期には量産出荷する予定。またさらに容量を増やせる 3ビット / セル品もラインナップに加えてゆくとしています。また東芝と提携する SanDisk からもプレスリリースが出ており、こちちは今四半期にサンプル出荷、今年後半に量産出荷。なお写真は今回発表された19nm品ではなく、現行の薄型ノート向けSSD製品 Blade X-galeのもの。
 
 

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関連キーワード: 19nm, flash memory, FlashMemory, sandisk, toshiba
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