クアルコムは、モバイル向けの次世代SoC「Snadpragon 835」を発表しました。詳細に関してはまだ不明ですが、半導体の性能を左右する製造プロセスに、サムスンの10nm FinFETプロセスを採用するのが特徴です。

サムスン側の(製造プロセスレベルでの)アナウンスでは、現行の14nm FinFETプロセスに比べて、最大で30%の面積縮小、27%の性能向上、40%の省電力化が可能になるとアピール。

これを受けてクアルコムも、835の特徴として、現行モデルと比べての省電力化と性能向上、そしてチップ面積の小型化を挙げています。ただしこちらの具体的な数値はまだ公開されていません。

合わせてSnapdragon 835がサポートする、クアルコムの新しい急速充電技術 Quick Charge 4(以降QC4)も発表されました。

QC4は、先代のQuick Charge 3.0と比較して、最大20%高速かつ最大30%効率よく充電が可能。USB-CとUSB-PDをサポートするほか、端末の温度に基づいて充電スピードを制御する3代目 INOV(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage)技術を採用。これら技術により、典型的なユーザーは5分の充電で5時間以上利用時間を伸ばすことができると主張します。

クアルコムによれば、Snapdragon 835は2017年前半に出荷予定の端末に搭載される見通し。すでに200以上のデザイン(搭載機種)が開発されているといいます。

Snapdragon 830を通り越して835となったのはどういった意味があるのか気になるところですが、Galaxy S8(仮称)など、来年前半に登場するフラグシップ端末への搭載が期待できるかもしれません。