Sponsored Contents

cellphonesの最新記事

Image credit:

新世代最上位SoC、Snapdragon 835の詳細をクアルコムが公開。820比で消費電力25%減、性能20~25%向上

LTEは最高1Gbpsに、背面デュアルカメラやDSDネイティブ再生にも対応

橋本 新義 (Shingi Hashimoto)
2017年1月5日, 午前10:00 in cellphones
420 シェア
79
244
0
97

連載

注目記事

Amazon Echo Dot速攻レビュー。スキル試行は最初のスマホ的な楽しさ、日本語周りは意外な弱点が

Amazon Echo Dot速攻レビュー。スキル試行は最初のスマホ的な楽しさ、日本語周りは意外な弱点が

View
iPhone Xのナゾを実機でズバっと解決 カメラ機能はすべての面でワンランク上

iPhone Xのナゾを実機でズバっと解決 カメラ機能はすべての面でワンランク上

View

人気記事

遂に来た大本命「Amazon Echo」をじっくりレビュー。豊富なスキルが強みだが意外な弱点も見えてきた

遂に来た大本命「Amazon Echo」をじっくりレビュー。豊富なスキルが強みだが意外な弱点も見えてきた

View


米国で開催中のCES 2017で、クアルコムが新しい最上位SoCとなる『Snapdragon 835』の詳細を公開しました。同SoCは昨年11月の時点でモデル名など一部情報を公開していましたが、今回は技術的情報や性能の公開です。

気になる消費電力低減と速度向上に関しては、Snapdragon 820に比べて25%消費電力を低減、一方でCPU部の処理速度は20%、GPU(グラフィックス)部の速度は25%の向上とアピールします。

Gallery: クアルコム 2017年版最上位SoC Snapdragon 835 | 6 Photos





また、半導体パッケージ(部品としての外装)の大きさも、820比で35%縮小。タイトル写真は左が820で中央が835ですが、一回りほど小さくなります。これは基板(マザーボード)の縮小、ひいてはバッテリーの容量を増やせることに繋がるため、搭載機器レベルで見ると重要な差となります。

加えて重要なポイントは、スマートフォンで昨今のトレンドとなった機能を積極的にサポートする点。例えばGPU部ではGoogleのVR仕様Daydreamや、HDR映像ソース(HDR10仕様)に対応。

無線通信ではLTEは理論最高値1Gbpsの下り速度に対応し、さらにBluetoothは新バージョンとなる5.0に。加えて外付けチップにより、WiGigこと802.11adのサポートも謳います。

そしてカメラ用DSPでは、電子式手ブレ補正精度の強化(こんなところにも影響します)や背面デュアルカメラにも対応、AF速度も向上し、暗所撮影時のノイズも低減します。

オーディオ部は32ビット/384kHzのハイレゾ音源や3Dオブジェクトオーディオ技術、さらにはDSD音源へのネイティブ(PCM変換なし)再生にも対応します。

位置情報の測位に関しても、QZSS、つまり「みちびき」こと準天頂衛星システムへの対応に加え、屋内測位技術での精度を向上(公称で最大30%)。さらに測位使用時の消費電力低減にも配慮した設計となっています。



このようにSnapdragon 835は、CPU部やGPU部のみに限らず、スマートフォンで使われる機能に対して、全般的な性能向上を図っている点も特徴と言えます。
これは昨今のSnapdragonシリーズに共通した流れではありますが、835は高級スマートフォンやタブレット向けということもあり、こうした点にも非常に力の入ったものとなっている、というわけです。

こうした全方位での性能向上を図れた理由は、半導体としての性能に大きく影響する「製造プロセス」が10nmと、820に比べて1世代進んだため。820で採用された三次元構造半導体『FinFET』技術も盛り込まれており、製造はSamsung Semiconductorが担当します。

さて、CPU部では、処理ユニットとなる「コア」の数が8へと戻った点もトピックです。810はARM社の開発設計のコアを8基搭載していましたが、820は自社開発のKryo(クライオ)により1基あたりの性能を高め、一方で数は4基へと抑えていました。

今回の835では、新世代の『Kryo 280』を中心に、8基のコアを搭載。高性能コア(動作クロック2.45GHz)と消費電力重視のコア(1.9GHz)を4基づつ搭載し、負荷状況などで切り替えるBig.LITTLE方式を採用します。

また急速充電技術としては、既報どおり新世代となるQuick Charge 4(以降QC4)に対応。USB タイプC端子とUSB PD仕様に準拠させつつ、現行のQuick Charge 3.0と比較して最大20%高速、かつ最大30%効率の良い(AC側の消費電力が低くて済む)充電が可能である点をアピール。公称では、0%からであれば「15分で50%」の充電が可能と謳います。





CESでのプレゼンテーションでは、搭載製品としてODG(Osterhout Design Group)のARスマートグラス『ODG R-8』を紹介。同機はSnapdragon 835の機能のみでARを実現する点が特徴です。

Engadget読者であればご存じのように、昨今はスマートフォンの上位モデルでVR/ARへの対応がトレンドとなっていますが、このアピールからは、835がそうした用途でも十二分に使えるだけの性能を備えているとの主張が伺えます。



いずれにしてもSnapdragon 835は、2017年の高級スマートフォンにおいて主役的な存在となることはほぼ間違いない存在。現行の820/821ではともかく、前世代の810が「不調」だったことから不安視されていた発熱や実性能に関しても、妥当と呼べる(製造プロセスに対して無理のなさそうな)向上率となっていることから、比較的安心できそうなムードです。

搭載製品の登場は、11月の情報公開時(下記記事を参照ください)と変わらず「2017年前半から」の予定です。

クアルコムがSnapdragon 835発表、10nm製造プロセス採用で省電力と性能向上を両立。搭載機は2017年前半
420 シェア
79
244
0
97

Sponsored Contents